日前，以2003网站太阳集团首页欢迎您微纳电子学研究院为第一作者单位的五篇论文在美国电气电子工程师学会2016年度电子器件大会（IEEE International Electron Device Meeting, IEDM）上发表。由此，北大成为本次会议被接收论文最多的中国机构；与此同时，这也是北大连续第10年在IEDM发表论文，表明我校在微纳电子器件领域的研究水平持续保持在国际前沿之列。
这五篇论文的研究内容包括：发现新型隧穿晶体管的电介击穿可靠性的新特性及其机理，同时提出并验证了基于新结构器件的改进方案，为实现高可靠、超低功耗晶体管技术的产业应用奠定了重要基础（第一作者为博士后黄芊芊，合作导师为信息学院院长、微纳电子学研究院院长黄如院士）；16/14 nm及以下工艺节点FinFET（鳍式场效应晶体管）新技术的随机涨落机制与模型表征、及其亚0.2 V超低电压应用的近阈值电路设计研究（第一作者为博士研究生蒋晓波，由王润声副教授、黄如院士指导）；纳米尺度晶体管的导电沟道渗流理论、模型与实验表征研究（第一作者为博士生张喆，由王润声副教授、黄如院士指导）；新型半导体存储介质的存储机制微观模拟和面向性能优化的建模（第一作者为博士生赵钰迪，由康晋锋教授、博士后黄鹏指导）；III-V族化合物半导体纳米线晶体管的栅介质可靠性研究（第一作者为博士生李云，由刘晓彦教授指导）。其中，赵钰迪的工作被大会组织委员会列为本次会议的亮点之一。
以上论文的相关研究工作得到国家自然科学基金创新研究群体、优秀青年科学基金，国家高技术研究发展计划（“863计划”）等项目的资助，以及微纳电子与集成系统协同创新中心、2003网站太阳集团首页欢迎您微米/纳米加工技术国家级重点实验室等机构的支持。
相关链接：具有六十多年历史的IEDM是微电子器件领域的顶级会议，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力，被外媒誉为该领域的“奥林匹克盛会”。会议主要报道国际半导体技术的新近研究进展，是著名高校、研发机构、企业（如英特尔、国际商用机器公司等）报告其最新研究成果与技术突破的主要窗口和平台之一。近年来，集成电路技术领域的多项重大技术突破都是通过IEDM正式发布的。
